Vce[sat] bei den IPMs erneut verbessert: L1-Serie
Juli 2008
Die
Ende 2002 vorgestellte CSTBT (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor)-Technologie
hält dank ihrer
Überragenden Durchlass-Parameter immer weiter Einzug in die verschiedenen
Produktsegmente. Neu ist bei den
IPMs die L1-Serie, die mit einem Full Gate CSTBT Chip den Durchlass
erneut verbessert. Das Datenblatt zeigt, dass der typische Vce-sat
Wert beispielsweise bei den 1200-Volt-Modulen auf 1,75 Volt sinkt.
Die IPMs (intelligent power modules) ergänzen die reinen IGBT-Module
um Schutzbeschaltungen. Ausgeschlossen werden Under-Voltage,
Short circuit, Over-Temperature und Fault Gate Signal (unplausible Steuerungssignale
am
Gate werden unterdrückt).
Zur
Erinnerung: Die L1-Serie ist in 5 verschiedenen Gehäusen mit Schraub-
oder Lötanschlüssen erhältlich. Die
Bandbreite deckt den Bereich zwischen 25 und 300 Ampère ab. Voltklassen:
600 und 1200 V. Technische Daten (preliminary datasheet) sind auf unserer
Übersichtsseite
zu finden.
Die
L1-Serie ist für die Bereiche Motorsteuerungen, Servo und Klimaanlagen konzipiert
worden und bei uns ab sofort
ab Lager erhältlich .
Features: verbesserter Durchlass, on chip temperature sensor
auf jedem IGBT, verbessertes power cycling und
damit längere Lebenserwartung, erhöhter maximaler Chopper-Strom bei
den 7-Packs.
| Gehäuse | 600V | 1200V |
 |
Neues Gehäuse
|
PM25RL1C120 
|
 |
PM50CL1A060
PM50CL1B060 PM50RL1A060 PM50RL1B060 PM75CL1A060 PM75CL1B060 PM75RL1A060 PM75RL1B060 PM100CL1A060 PM100CL1B060 PM100RL1A060 PM100RL1B060 PM150CL1A060 PM150CL1B060 PM150RL1A060 PM150RL1B060 |
PM25CL1A120 PM25CL1B120 PM25RL1A120 PM25RL1B120 PM50CL1A120 PM50CL1B120 PM50RL1A120 PM50RL1B120 PM75CL1A120 PM75CL1B120 PM75RL1A120 PM75RL1B120 
|
 |
PM200CL1A060 PM200RL1A060 PM300CL1A060 PM300RL1A060 | PM100CL1A120 PM100RL1A120 PM150CL1A120 PM150RL1A120 
|
 |
Neues GehäusePM50CS1D060
|
PM25CS1D120 PM50CS1D120 PM75CS1D120 PM100CS1D120 
|
Hier noch einmal der Link zum Lineup / der Übersicht und den technischen Daten: Übersichtsseite L1-Serie
