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CM-Module: IGBTs

 Klassifikation jump to IPMsjump to application specific power modulesjump to bipolar sectionjump to diode modules
 
IGBT-Module (NX6-Serie)
NX6 im 17mm Gehäuse mit 6. Generation IGBT-Chips: der neue Standard
Schaltung
Vces(V)
35 - 50 A
75 -100 A
150 - 200 A
300 A
400 / 450 A
600 A und mehr
CIB
converter-inverter+ brake
1200 V
7in1
1200 V
1700 V
in Planung
    
6in1
1200 V
1700 V
in Planung
    
2in1
1200 V
1700 V
in Planung
       

 

IGBT-Module (A-Serie)           - Standard IGBT-Module zu niedrigen Preisen

Schaltung
 Ic (A)
Vces
(V)
75 100 150 200 300 400 600
1200   CM400HA-24A CM600HA-24A
CM600HB-24A
1700

CM500HA-34A
1200   CM100DY-24A CM150DY-24A CM200DY-24A CM300DY-24A CM400DY-24A CM600DY-24A
1700

CM75DY-34A

CM100DY-34A

CM150DY-34A

CM200DY-34A

CM300DY-34A

CM400DY-34A

 

Weitere technische Informationen finden Sie hier: A-Serie Applikationshandbuch (application notes).
Für die Parallelschaltung von A-Serie-Modulen empfehlen wir: handbook for parallel use of A-Series.

 

IGBT-Module (NF-Serie)          - (CSTBT - carrier stored trench bipolar transistors) -

Die 5. IGBT-Generation wartet mit CSTBT - (carrier stored trench bipolar transistors) auf und setzt den neuen Standard für alle IGBT-Applikationen. Die neuen Chips haben sehr gute Vce-sat-Werte und sind preislich günstiger als die bewährte H-Serie.
Mitsubishi hat die neuen NF-Module mit zu der H-Serie kompatiblen Gehäusen ausgestattet, so dass die neuen Module als Äquivalente der alten Standardmodule eingesetzt werden können, ohne an der Ansteuerung oder Kühlung etwas ändern zu müssen. Wir empfehlen allen, die noch die H-Serie einsetzen, einen Wechsel zur günstigeren und dabei leistungsfähigeren NF-Serie anzugehen.

Schaltung
Vces
(V)
Ic (A)
Typ Diagramm 50 75 100 150 200 300 400 600 900 und mehr
D

600     CM150DY-12NF CM200DY-12NF CM300DY-12NF CM400DY-12NF CM600DY-12NF  
1200   CM75DY-24NF CM100DY-24NF CM150DY-24NF CM200DY-24NF CM300DY-24NF CM400DY-24NF CM600DU-24NF CM900DU-24NF *
CM1400DU-24NF *
T

600 CM75TL-12NF CM100TL-12NF CM150TL-12NF CM200TL-12NF    
1200 CM50TL-24NF CM75TL-24NF CM100TL-24NF CM150TL-24NF CM200TL-24NF CM300TJ-24NF ** CM450TJ-24NF **    
R

600 CM75RL-12NF CM100RL-12NF CM150RL-12NF CM200RL-12NF        
1200 CM50RL-24NF CM75RL-24NF CM100RL-24NF CM150RL-24NF CM200RL-24NF    
* CM900DU-24NF und CM1400DU-24NF im "Mega Power Dual"-Gehäuse.            ** abgekündigt - nicht für neue Designs geeignet

 


IGBT-Module (NFH-Serie)               - mit der Frequenz hoch hinaus

Mit den Standard-IGBTs gibt es spätestens beim Überschreiten von 30.000 Hz Probleme. Die NFH-Serie wurde eigens für den Einsatz in besonders hohen Frequenzbereichen entwickelt und erlaubt den Betrieb bei bis zu 60.000 Hz.

Vces
(V)
Ic (A)
100 150 200 300 400 600
600 CM100DUS-12F CM150DUS-12F CM200DU-12NFH CM300DU-12NFH CM400DU-12NFH  
1200 CM100DU-24NFH CM150DU-24NFH CM200DU-24NFH CM300DU-24NFH CM400DU-24NFH CM600DU-24NFH

Die NFH-Serie ist zur Zeit nur in Dual-Ausführung verfügbar.


IGBT Module (U-Serie)

niedrigere lnduktivität als die H-Serie, geänderte Charakteristik der Freilaufdiode, reduzierte Kosten. Für neue Designs nicht empfohlen.

Schaltung
Vces
(V)
Ic (A)
Typ Diagramm 50 75 100 150 200 300 400 600 800
H

600               CM600HU-12H
1200             CM400HU-24H CM600HU-24H
E3

600   CM75E3U-12H CM100E3U-12H CM150E3U-12H CM200E3U-12H CM300E3U-12H    
1200 CM50E3U-24H CM75E3U-24H CM100E3U-24H CM150E3U-24H CM200E3U-24H CM300E3U-24H      
D

600   CM75DU-12H CM100DU-12H CM150DU-12H CM200DU-12H CM300DU-12H CM400DU-12H   CM800DU-12H
1200 CM50DU-24H CM75DU-24H CM100DU-24H CM150DU-24H CM200DU-24H CM300DU-24H CM400DU-24H    
1700     CM100DU-34KA CM150DU-34KA CM200DU-34KA CM300DU-34KA CM400DU-34KA    
B 600 CM75BU-12H CM100BU-12H            
1200 CM50BU-24H    
T 600   CM75TU-12H CM100TU-12H CM150TU-12H CM200TU-12H        
1200 CM50TU-24H CM75TU-24H CM100TU-24H            
1700 CM50TU-34KA CM75TU-34KA              

E3-Serie für IGBT-Bremssysteme
KA-Serie mit einer Isolationsklasse bis max. 3500V AC. Integrierter "Local Life Time" Control-IC.
Sofern das Datenblatt vorhanden ist, haben wir es hier verlinkt (pdf - Acrobat Reader erforderlich).

 

IGBT Module (F-Serie)

Erste Trench Gate IGBT Familie von Mitsubishi. Die Trench Struktur vermindert Leistungsverluste und Induktivitäten. Für neue Desins empfehlen wir aber eher NF- und A-Serie.

Schaltung
Vces
(V)
Ic (A)
Typ Diagramm 50 75 100 150 200 300 400 600
H

250
             CM450HA-5F CM600HA-5F

CM600HN-5F
600
               CM600HU-12F
1200
             CM400HU-24F CM600HU-24F
E3
600     CM100E3U-12F     CM300E3U-12H    
1200   CM75E3U-24F CM100E3U-24F CM150E3U-24F CM200E3U-24F CM300E3U-24H    
D

250
           CM350DU-5F CM400DU-5F CM600DU-5F
600
  

CM75DU-12F

CM100DU-12F

CM150DU-12F

CM200DU-12F

CM300DU-12F

CM400DU-12F

  
1200
 CM50DU-24F

CM75DU-24F

CM100DU-24F

CM150DU-24F

CM200DU-24F

CM300DU-24F

CM400DU-24F

 CM600DU-24F
T
250
         CM200TU-5F      
600
 CM50TJ-12F CM75TU-12F CM100TU-12F
CM100TJ-12F		 CM150TU-12F
CM150TJ-12F		 CM200TU-12F      
1200
 CM50TU-24F
CM50TJ-24F		 CM75TU-24F
CM75TJ-24F		 CM100TU-24F
CM100TJ-24F		          

 

IGBT Module für hohe Spannungen (HV-IGBTs - high voltage)

Vces
(V)		 Ic (A)
200/400 600 800/900 1000 1200 1500 - 1800
2400
1700
 CM400HA-34H

CM600DY-34H

CM600E2Y-34H

CM800HA-34H

CM800DZ-34H

CM1000DU-34NF

CM1000DUC-34NF

CM1200HA-34H

CM1200HC-34H

CM1200HCB-34N

CM1200DB-34N

CM1200DC-34N

CM1200E4C-34N

CM1600HC-34H


CM1800HC-34H

CM1800HC-34N

CM1800HCB-34N

CM1800HD-34H

CM2400HC-34H

CM2400HC-34N

CM2400HCB-34N
2500
 CM400DY-50H

CM800HA-50H

CM800HB-50H

CM1200HA-50H

CM1200HB-50H

CM1200HC-50H
3300

CM400DY-66H

CM400HG-66H

CM800HA-66H
CM800HB-66H
CM800HC-66H

CM800E2C-66H
CM800E4C-66H
CM800E6C-66H

CM800E2Z-66H

CM1200HA-66H

CM1200HB-66H

CM1200HC-66H

CM1200HG-66H

 CM1500HC-66R  
4500

CM200HB-90H

CM400HB-90H

 CM600HB-90H

CM900HB-90H

      
6500

CM200HG-130H

 CM600HG-130H

 

  

Falls Sie ein Datenblatt benötigen, das hier nicht verlinkt ist, senden Sie uns Ihre Anfrage. (Datasheet on request)

 

IGBT Module (H-Serie) - nicht für Neuentwicklungen geeignet

Alter Standard, mit 3. Generation IGBT (=Insulated Gate Bipolar Transistor)-Chips.
Nicht für neue Designs: Die H-Serie wurde durch die NF-Serie abgelöst.

Schaltung Vces  (V)

Ic (A)

                             
Typ

Diagramm

15 20 30 50 75 100 150 200 300 400 600 800 1000
H

600

               CM200HA-12H CM300HA-12H CM400HA-12H CM600HA-12H      
1200               CM200HA-24H CM300HA-24H CM400HA-24H CM600HA-24H CM800HA-24H CM1000HA-24H
1400                 CM300HA-28H CM400HA-28H CM600HA-28H   CM1000HA-28H
D
600       CM50DY-12H CM75DY-12H CM100DY-12H CM150DY-12H CM200DY-12H CM300DY-12H CM400DY-12H          
1200       CM50DY-24H CM75DY-24H CM100DY-24H CM150DY-24H CM200DY-24H CM300DY-24H      
1400       CM50DY-28H CM75DY-28H CM100DY-28H CM150DY-28H CM200DY-28H CM300DY-28H      
T 600 CM15TF-12H CM20TF-12H CM30TF-12H CM50TF-12H CM75TF-12H CM100TF-12H CM150TF-12H           
1200 CM15TF-24H CM20TF-24H CM30TF-24H CM50TF-24H CM75TF-24H CM100TF-24H            
1400       CM50TF-28H CM75TF-28H CM100TF-28H             

 

IGBT Module (MDx-Serie, wird nicht mehr produziert)

CIB = Module mit integriertem Converter, Inverter & Brake für Motorsteuerungen (Baureihe "MD").

CI - Module sind nicht mit interner IGBT-Bremse ausgestattet. (Typen MD1 & MD3).

Schaltung Vces
(V)		 Ic (A)
Typ Diagramm 10 15 20 30(25) 50
MD 600 CM10MD-12H CM15MD-12H CM20MD-12H CM30MD-12H CM50MD-12H
1200 CM10MD-24H CM15MD-24H   CM25MD-24H  
MD1 600 CM10MD1-12H CM15MD1-12H CM20MD1-12H CM30MD1-12H  
MD3 600 CM10MD3-12H CM15MD3-12H CM20MD3-12H CM30MD3-12H  

PM-Module: "Intelligente" Power Module

IGBT Module, die gleich mit eingebauten Kontroll- und Schutzschaltungen gegen Kurzschluss, Überstrom, Überhitzung, Fault Signal oder Betrieb bei zu niedriger Spannung aufwarten.

 

L1-Serie - aktuelle IPM (intelligent power module) Serie

Dank eines Full Gate CSTBT-Chips konnte der Durchlass der 1200 Volt Module erneut verbessert werden. Der typische Vce-sat Wert sinkt beispielsweise bei den 1200-Volt-Modulen auf 1,75 Volt. Ferner sind zwei komplett neue Gehäuse hinzugekommen (Typen CS1D und RL1C).
Die L1-Serie ist etwas preisgünstiger als die ältere L-Serie. Wir empfehlen daher den Umstieg, der normalerweise problemlos möglich ist.

Schaltung

Vces
(V)

Ic(A)
Typ
Diagramm
25
50
75
100
150
200
300
C

600
  
1200
 
 
R

600
   PM200RL1A060
1200
  
 
 


L-Serie   - erste IPM-Serie mit CSTBT-Technologie

Die Carrier Stored Trench Bipolar Transistoren drücken die Vce-sat-Werte auf 1,5 V bei 600V-Modulen und 1,9 V für die 1200V-Module. Weitere Features: On-Chip-Temperatur-Sensor, kleinere Gehäuseabmessungen und stärkere Chopper-Diode bei der R-Variante für höhere Bremsströme. Wird noch gefertigt, aber Umstieg auf die L1-Serie wird empfohlen.

Schaltung

Vces
(V)

Ic(A)
Typ
Diagramm
25
50
75
100
150
200
300 and up
C

600
  
1200
R

600
  
1200
 
 


*CLB/RLB-Typen haben Lötanschlüsse, während die CLA/RLA-Module mit den üblichen Schraubanschlüssen ausgestattet sind.

Weitergehende Informationen finden Sie hier: L series application handbook.

 


V1-Serie  IPM - für Anwendungen > 400 Ampere

Die Power Module der V1 Serie sind als Dual-Module aufgebaut, damit sich genauso einfach 4-Puls als auch 6-Puls-Brücken aufbauen lassen. Die Verbindungsstecker sind kompatibel zu früheren 2in1-IPMs.
Durch einen monolithisch in den IGBT-Chip integrierten Wärmesensor wird ein optimales Ansprechen des Übertemperatur-Schutzes erreicht. Das Modul wird verglichen mit NTC-Lösungen in der Bodenplatte entsprechend besser geschützt.

Vces
(V)
Ic (A)
200 300 400 600 800
600     PM400DV1A060 PM600DV1A060 PM800DV1B060
1200 PM200DV1A120 PM300DV1A120 PM450DV1A120 PM600DV1B120  

Weitere Informationen: Präsentation V1-Serie

Solar  IPM - auf Photovoltaik Anwendungen spezialisiert

Mitsubishi bietet Photovoltaic-Module mit 50 und 75 Ampere Nennstrom an. Es sind drei Gehäusevarianten verfügbar (A, B und C). Technisch teilt sich die PV-Serie auf in eine Version mit Inverter (B4), Chopper + Inverter (B5) und ein Modul mit Inverter und 2 Choppern (B6).

inverter
inverter + chopper
inverter + 2 chopper
50 A
75 A


Solar IPMs im Vergleich:
A Gehäuse mit Schraubanschlüssen, B-Gehäuse mit Lötanschlüssen, C-Gehäuse reduziertem Platzbedarf.
Durch die niedrigeren Verluste der L1-Chips kann ein kleineres Gehäuse genutzt werden, das in der L1-IPM-Serie bereits als "S1 Gehäuse" bekannt ist.

Weitere Informationen: application notes for PV (photovoltaic)-IPMs

 

S-(Standard) Serie - nicht für Neuentwicklungen geeignet

Schaltung

Vces
(V)

Ic(A)
Typ
Diagramm
10
15
20 - 30
50
75
100
150
200
300 / 400
600
800
H

600
1200
 
 
 
 
 
 
 
D

600
 
 
 
 
 
 
 
 
1200
 
 
 
 
 
 
C

600

PM10CSJ060

PM15CSJ060

PM20CSJ060

PM30CSJ060
 
 
 
 
 
1200
 
 
 
 
 
 
 
R

600
 
 
 
 
 
 
1200
 
 
 
 
 
 
 

 

V-Serie  IPM - nicht für Neuentwicklungen geeignet

Verringerte Induktivität gegenüber der Standard-Baureihe, veränderte Charakteristik der Freilaufdiode. Nicht für neue Designs.

Schaltung

Vces
(V)

Ic(A)
Typ
Diagramm
50
75
100
150
200
300
400
600
D

600
 
 
 
 
 
 
1200
 
 
 
 
 
 
C

600
 
 
 
 
1200
 
 
 
 
 
R

600
 
 
 
 
 
 
 
1200
 
 
 
 
 
 
 

 

S-Dash-Serie  IPM - nicht für Neuentwicklungen geeignet

Der erste Nachfolger der S(tandard)-Serie nutzt die Planar-Chips der 4. Generation mit 1ym-Design. Wir empfehlen statt diesen Modulen die neueren Module der L1-Serie.

Schaltung

Vces
(V)

Ic(A)
Typ
 Diagramm
50
75
100
150
200
300
C

600
PM50CSD060
PM50CSE060
(PM50CBS060) 
PM75CSD060
PM75CSE060
(PM75CBS060)
PM150CSD060
PM150CSE060
(PM150CBS060)
PM200CSD060
PM200CSE060
(PM200CBS060)
PM300CSD060
PM300CSE060
(PM300CBS060)
1200
    
R

600
1200
 
 

*CBS-Typen für Servo-Betrieb sind mit Temperatursensoren auf jedem Transistor ausgestattet. Diese Bauteile sind nur auf Anfrage verfügbar.
Der Unterschied zwischen den SD und SE-Bauteilen: CSD/RSD nutzen das alte Layout der S-Serie bei der Steuerleiste, um einen Umstieg auf die neuen Module so einfach wie möglich zu gestalten. Die CSE/RSE-Module hingegen haben optimierte Steckerleisten (16 Pins statt 19).

 

PS-Module: "Application specific"

link to MITSUBISHI explanation page

 

Application Specific Intelligent Power Module (AS-IPM)

600 Volt Typen
Schaltung
output
current
1200 Volt Typen
 
100 % load
150 % load
100 % load
150 % load
typische Motorleistung
PS11011

600 V

Brake Schaltung
integral converter
Stromsensor
IGBTs mit Treiber & Schutzschaltungen
0,8
1,2
  

1200 V

Brake Schaltung
integral converter
Stromsensor
IGBTs mit Treiber & Schutzschaltungen

    
100 W
PS11012
1,5
2,25
 PS12012-A
1,0
1,5
200 W
PS11013
3,0
4,5

PS12013-A
1,6
2,4
400 W

PS11014
5,0
7,5
 PS12014-A
2,6
3,9
750 W
PS11015
7,0
10,5
 PS12015-A
4,0
6,0
1,5 kW
PS11016
11,0
16,5
 PS12017-A
7,2
10,8
2,2 kW/3 kW
PS11017
17,0
25,5
 PS12018-A
9,2
13,8
3,7 kW
             
PS11021-A

600 V

Stromsensor
IGBTs mit Treiber & Schutzschaltungen
0,8
1,2
        
200 W
PS11022-A
1,5
2,25
        
400 W
PS11023-A
3,0
4,5
        
750 W
PS11024-A
5,0
7,5
        
1,5 kW
PS11025-A
7,0
10,5
        
2,2 kW
             
PS11032

600 V

Integraler Konverter
Stromsensor
IGBTs mit Treiber & Schutzschaltungen
1,5
2,25

1200 V

Integraler Konverter
Stromsensor
IGBTs mit Treiber & Schutzschaltungen
1,2
1,8
200 W
PS11033
3,0
4,5
1,8
2,7
400 W
PS11034
5,0
7,5
3,4
5,1
750 W
PS11035
7,0
10,5
1,5 kW
PS11036
11,0
16,5
5,5
8,3
2,2 kW
PS11037
17,0
25,5
9,2
13,8
3,7 kW

für die PS-Module sind weitere Datenblätter (zumindest Abmessungen / technische Daten) auf Anfrage erhältlich. Schreiben Sie uns einfach eine E-Mail, wenn Sie weitergehende Informationen, auch zu abgekündigten Bauteilen, benötigen. Wir suchen dann das Datenblatt für Sie heraus.

Dual Inline Package Intelligent Power Module (DIP-IPM)   -   2. Generation

Vorteile durch die sehr kompakten Transfer-Mold-Gehäuse, sowie bereits integrierte Treiber- und Schutzschaltungen.

Bauweise
Isoliert bis
Typen
normale DIP-IPM
1500 V
 PS21244-E  PS21254-E  PS21245-E  PS21255-E   PS21246-E
2500 V
 PS21444-E  PS21454-E  PS21445-E  PS21455-E   PS21446-E
Miniatur-DIP-IPM
1500 V
 PS20341-G  PS20351-G  PS21342-G  PS21352-G  PS21343-G  PS21353-G  
 "G" = Standardversion. "N" = verbesserte low-noise Version,m. reduzierter Totzeit
2500 V
 PS21542-G  PS21552-G  PS21543-G  PS21553-G   (auch "N"-Typen verfügbar)

 

DIP-IPM   -  3. Generation

Die DIP-IPMs der dritten Generation nutzen die CSTBT-Chip-Technologie mit 0,6 ym Struktur. Sie nutzen die gleichen Gehäuse wie die 2. Generation. Die Reduktion des Vce-sat-Wertes geht mit spürbar verringerten Verlustleistungen einher, so dass die Produktpalette um Bauteile mit höherer Stromfestigkeit erweitert werden konnte.
 
Vces (V)
typische Motorleistung
100 W
200 W
400 W
750 W
1,5 kW
2,2 kW
3,7 kW
DIP (Viso = 1200 V)
600
DIP (Viso = 2500 V)
1200
Mini-DIP (V3)
600
SIP
600


* Das S bei den Mini-DIPs bezieht sich auf eine Modulvariante mit Emitterabgriff (open Emitter) für moderne Vector-Control-Ansteuerungen.
Suffixe:
"-P" = RoHS-konform        "-A" = lange Pins

 

DIP-IPM   -  "3.5"- Generation

Produktion eingestellt, führen wir hier nur der Vollständigkeit halber auf.

 
Vces (V)
typische Motorleistung
1,5 kW
2,2 kW
3,7 kW
DIP (V3.5)
[Viso = 2500 V]
600
DIP (V3.5) open Emitter
[Viso = 2500 V]
1200



DIP-IPM   -  4. Generation

Die kleineren CSTBT-Chips erlauben mehr Leistung auf weniger Raum. Sofern die Kühlung stimmt, kann also Platz, Material und Geld gespart werden. Was lag da näher, als die beliebten Dual Inline Package IPM-Module nochmals zu optimieren? Die 4. Generation nutzt die Vorteile der neuesten Planar-CSTBT-IGBTs aus und kommt dank Einführung einer neuen Kunstharz-Isolationsschicht zu einem erheblich verbesserten Wärmekoeffizienten (Rth j-c) bei leicht verbesserter Isolation: 600 V Typen nun mit Viso von 1500 V oder 2500 V, je nach Typ. Nähere Informationen finden Sie im jeweiligen Datenblatt (hier nicht verlinkte Datenblätter sind auf Anfrage erhältlich).

 
Vces
(V)
typische Motorleistung
100 W
(3 A)
200 W
(5 A)
300 W
(8 A)
400 W
(10 A)
750 W
(15 A)
1,5 kW
(20 A)
2,2 kW
(>=30 A)
Super Mini DIP
[Viso = 1500 V]
600
PS21964-T /-ST
PS21994-4
(-4A -4C -4W)
PS21965-T /-ST
PS21965-4
( -4A -4C -4W)
Super Mini DIP
mit Boot Strap Diode (BSD)
600
PS219A2
PS219A2-T
PS219A3-E
PS219A3-ET
PS219A3
PS219A3-T
PS219A4
PS219A4-T
Mini DIP (V4)
[Viso = 2500 V]
600
     
Large DIP (V4)
[Viso = 2500 V]
600
     
4 KW / 50 A: PS21A79
5,5 kW / 75 A: PS21A7A
Large DIP (V4)
[Viso = 2500 V]
1200
DIP-PSC
mit partial SW circuit
600

PS81B93-AE/ -EW
PS81B93-A/ -W
PS81B94-A/ -W
PS81B95-A/ -W

*Die V4-DIP-Module sind in folgenden Varianten erhältlich:

"-4" normale Länge der Pins "-T" Mit Temperaturschutz
"-4A" längere Pins "-S" Open Emitter (auf der N-Seite)
"-4C" Steuer-Pins mit Zickzack-Anordnung "-E" 8-Ampere Typ
(nur in Kombination mit PS219x3)
"-4W" Pins auf beiden Seiten mit Zickzack-Anordnung "-V" schneller SW-off Typ

** Typen PS21993-x, PS21994-x und PS21997-x mit Lower Loss Full-Gate CSTBT-chips.

 

 

DIP-IPM   -  5. Generation

Die 5. Generation der DIP-IPMs kommt in Gestalt des bewährten Super-Mini-DIP Gehäuses, das sich in der Vorgängergeneration bereits am Markt etablieren konnte. Die Vorzüge ergeben sich aus dem Umstieg auf die verlustoptimierten CSTBT-Chips.

Typische Applikationen für diese Module sind kleine Konverter, wie sie in Klimageräten, Waschmaschinen, Zentrifugen oder Pumpen und Kühlschränken eingesetzt werden.

 

Features:
• 3-phasiger DC/AC Inverter
• Zugelassene Chiptemperatur Tj: -20C° bis 150C°
• integrierte Schutzfunktionen: Kurzsschluss / Short Circuit (SC), Under Voltage (UV), Temperatur / Over Temperature (OT)
• Entweder mit integr. Abschaltung bei zu hoher Temperatur verfügbar, oder mit nach außen geführtem Temperatursignal (analog)
• Fehlersignal wird nach außen geführt
• 3-15V Eingangsspannung (high active logic)
• Normalausführung (S), lange Anschlusspins (A) und Zickzack-Pins (C) verfügbar
• Pinkompatibel with den Super-Mini-DIPPs der 4. Generation PS219xx (38mm x 24mm)
• N-seitig mit Open Emitter Technologie
• Isolationsspannung: 1500Vrms

 
Vces
(V)
200 W
(5 A)
400 W
(10 A)
750 W
(15 A)
Mini DIPIPM (V5)
analoge Temperaturausgabet
600
Mini DIPIPM (V5) T-series
Abschaltung bei zu hoher Temperatur
600


 

 

 

 

FM-Module: Hochleistungs-MOSFETs

  ID(A)
VDSS (V)
100 A (200 A)
200 A (400 A)
300 A (600 A)
75
100
150

 

QM-Module: Transistoren (werden nicht mehr hergestellt)

Schaltung

 VCBO
(V)		 Ic (A)
Typ
Diagramm
15
20
30
50
75
100
150
200
300
400
500
600
H
600
note1
QM400HA-H

note1
QM500HA-H
(high hFE)

note1
1000
QM30HY-2H
QM150HY-2H
note1
1200
QM200HA-24
QM300HA-24
QM600HA-24
1400
note2
QM30HC-2H
D

600
QM15DX-H
QM20DX-H
QM100DY-H
note1
1000
QM15DX-2H
QM100DY-2H
   
note1
1200
QM15DX-24
QM30DY-24
QM50DY-24
QM150DY-24
   
E2
600
QM30E2Y-H
   
note1
1000
QM30E2Y-2H
QM50E2Y-2H
QM75E2Y-2H
   
E3
600
QM30E3Y-H
QM50E3Y-H
QM75E3Y-H
   
note1
1000
QM30E3Y-2H
QM50E3Y-2H
QM75E3Y-2H
QM100E3Y-2H
   
C
600
QM30CY-H
QM50CY-H
QM75CY-H
QM100CY-H
QM150CY-H
   
T
600
QM100TX1-H
   
note1
1000
QM30TB-2H
QM50TB-2H
   
note1
1200
QM15TB-24
QM30TB-24
QM50TB-24
   

Anmerkungen
1: 3-reihig, Darlington
2: nicht-isolierte Bodenplatte



generell gilt: ein "K" am Ende der Typenbezeichnung ist unbeachtlich

 

High Beta Darlington Transistor-Module - werden nicht mehr hergestellt

Schaltung
VCBO
(V)
Ic (A)
Typ
Diagramm
10
30
50
300
400
600
800
1000
H H Konfiguration (Einzelschalter)
600
 QM10HA-HB note2
QM30HA-HB		 note2
QM50HA-HB		 note2
QM300HA-HB		 note2
QM400HA-H
note2
QM500HA-H
note3
1000
 QM300HA-2HB QM400HA-2HB QM600HA-2HB QM800HA-2HB QM1000HA-2HB
note3
1200
 QM300HA-24B QM400HA-24B QM600HA-24B QM800HA-24B QM1000HA-24B
 
15
20
30
50
75
100
150
200
300
D
note2
600
 QM30DY-HB QM50DY-HB QM75DY-HB QM100DY-HB QM150DY-HB QM200DY-HB QM300DY-HB
note3
1000
 QM50DY-2HB QM75DY-2HB QM100DY-2HB QM150DY-2HB QM200DY-2HB QM300DY-2HB
note3
1200
 QM50DY-24B QM75DY-24B QM100DY-24B QM150DY-24B QM200DY-24B QM300DY-24B
T
500
 QM15TG-9B QM20TG-9B
600
 QM15TD-HB QM20TD-HB note2
QM30TF-HB		 note2
QM50TF-HB		 note2
QM75TF-HB		 note2
QM100TF-HB
note4
QM15KD-HB		 note4
QM20KD-HB		 note2
QM30TX-HB		 note2
QM50TX-HB		 note2
QM75TX-HB		 note2
QM100TX1-HB
1000
 note2
QM15TB-2HB		 note3
QM30TB-2HB		 note3
QM50TB-2HB
1200
 note2
QM15TB-24B		 note3
QM30TB-24B		 note3
QM50TB-24B

Anmerkungen
1: Ic=500A
3: 4-reihiger Darlington Aufbau

 


2: 3-Reihen-Darlington Bauart
4: mit 3-phasigem Konverter

generell gilt: ein "K" am Ende der Typenbezeichnung ist unbeachtlich

 

RM-Module: Dioden

Standard Dioden

Circuit VRRM
(V)		 I Fav (A)
Type Diagram 20 30 40 50 60 100 150 250 500
H
400
RM500HA-M
800
RM500HA-H
1200
RM500HA-24
1600
RM500HA-2H
D
400
RM30DZ-M
RM60DZ-M
RM100DZ-M
RM150DZ-M
RM250DZ-M
RM500DZ-M
800
RM30DZ-H
RM60DZ-H
RM100DZ-H
RM150DZ-H
RM250DZ-H
RM500DZ-H
1200
RM30DZ-24
RM60DZ-24
RM100DZ-24
RM150DZ-24
RM250DZ-24
RM500DZ-24
1600
RM30DZ-2H
RM60DZ-2H
RM100DZ-2H
RM150DZ-2H
RM250DZ-2H
RM500DZ-2H
C
400
RM30CZ-M
RM60CZ-M
RM100CZ-M
RM150CZ-M
RM250CZ-M
800
RM30CZ-H
RM60CZ-H
RM100CZ-H
RM150CZ-H
RM250CZ-H
1200
RM30CZ-24
RM60CZ-24
RM100CZ-24
RM150CZ-24
RM250CZ-24
1600
RM30CZ-2H
RM60CZ-2H
RM100CZ-2H
RM150CZ-2H
RM250CZ-2H
U
400
RM150UZ-M
RM250UZ-M
RM500UZ-M
800
RM150UZ-H
RM250UZ-H
RM500UZ-H
1200
RM150UZ-24
RM250UZ-24
RM500UZ-24
1600
RM150UZ-2H
RM250UZ-2H
RM500UZ-2H
D2
2000
RM50D2Z-40
RM100D2Z-40
T
400
RM10TA-M
RM15TA-M
RM20TPM-M
RM30TA-M
RM30TB-M
RM30TPM-M
RM50TC-M
RM75TC-M
RM75TPM-M
800
RM10TA-H
RM15TA-H
RM20TPM-H
RM30TA-H
RM30TB-H
RM30TPM-H
RM50TC-H
RM75TC-H
RM75TPM-H
1200
RM10TA-24
RM15TA-24
RM20TA-24
RM20TPM-24
RM30TC-24
RM50TC-24
RM75TC-24
RM75TPM-24
1600
RM10TA-2H
RM15TA-2H
RM20TA-2H
RM20TPM-2H
RM30TC-2H
RM50TC-2H
RM75TC-2H
RM75TPM-2H
2000
RM15TC-40
RM30TC-40

 

Schnell schaltende Dioden

 - F-Serie für Bipolar-Anwendungen
 - S-Serie für IGBT-Anwendungen

Connection VRRM
(V)		 Idc (A)
Type No. Diagram 20/25 50 100 200 250 300 400/450
H 250/500        
RM250HA-10F
   RM450HA-5H
600
RM20HA-12F
RM50HA-12F
note1
RM50HG-12S
RM100HA-12F
1000
RM20HA-20F
RM50HA-20F
RM100HA-20F
RM200HA-20F
RM400HA-20S
1200
RM20HA-24F
note1
RM25HG-24S
RM50HA-24F
RM100HA-24F
RM200HA-24F
RM300HA-24F
RM400HA-24S
C 300 RM20CA-6S RM50CA-6S      
RM300CA-9W
for welding
  
600
RM20CA-12F
RM20CA-12S
 RM50CA-12F
RM50CA-12S		 RM100CA-12F        
1000 RM20CA-20F RM50CA-20F
RM50CA-20S		 RM100CA-20F        
1200 RM20CA-24F RM50CA-24F RM100CA-24F        
C1 300
RM20C1A-6S
 RM50C1A-6S          
600
RM20C1A-12F
RM20C1A-12S
RM50C1A-12F
RM50C1A-12S
RM100C1A-12F
        
1000
RM20C1A-20F
RM50C1A-20F
RM50C1A-20S
RM100C1A-20F
        
1200
RM20C1A-24F
RM50C1A-24F
RM100C1A-24F
        
D 600
RM20DA-12F
RM20DA-12S
 RM50DA-12F
RM50DA-12S		          
1000
RM20DA-20F
     RM200DA-20F      
1200 RM20DA-24F     RM200DA-24F      
S / R
300
RM60SZ-6S
RM60SZ-6R
for welding
RM100SZ-6S
RM100SZ-6R
for welding


"F" in the end of type No.: high-speed diode modules for mapping transistor modules
"H", "S" types: ultra high-speed diode modules for mapping MOSFET, and IGBT-modules

note1:Snubber use, for IGBT module & IPM

 Datenblatt gesucht? Bitte anfragen.


Dioden mit hoher Sperrspannung (HV-Di - high voltage Diodenmodule)

H VRRM
(V)		 400 600 900 1200 1800
1700

RM400HA-34S

RM400HV-34S

  
RM1800HE-34S
2500
    
RM1200HA-50S
  
3300       RM1200HA-66S  
4500  

RM600HE-90S

   RM1200HA-66S  
D 1700       RM1200DB-34S  
3300      

RM1200DB-66S

RM1200DG-66S

  
4500
RM900DB-90S

 

TM-Module: Thyristoren

Datenblätter auf Anfrage.

Circuit VRRM
(V)		 ITav (A)
Type Diagram 20 25 55 90 130 150 200 400
H 400 TM400HA-M
800 TM400HA-H
1200 TM400HA-24
1600 TM400HA-2H
D 400 TM20DA-M TM25DZ-M TM55DZ-M TM90DZ-M TM130DZ-M TM200DZ-M TM400DZ-M
800 TM20DA-H TM25DZ-H TM55DZ-H TM90DZ-H TM130DZ-H TM200DZ-H TM400DZ-H
1200 TM25DZ-24 TM55DZ-24 TM90DZ-24 TM130DZ-24 TM200DZ-24 TM400DZ-24
1600 TM25DZ-2H TM55DZ-2H TM90DZ-2H TM130DZ-2H TM200DZ-2H TM400DZ-2H
C 400 TM25CZ-M TM55CZ-M TM90CZ-M TM130CZ-M TM200CZ-M TM400CZ-M
800 TM25CZ-H TM55CZ-H TM90CZ-H TM130CZ-H TM200CZ-H TM400CZ-H
1200 TM25CZ-24 TM55CZ-24 TM90CZ-24 TM130CZ-24 TM200CZ-24 TM400CZ-24
1600 TM25CZ-2H TM55CZ-2H TM90CZ-2H TM130CZ-2H TM200CZ-2H TM400CZ-2H
P 400 TM130PZ-M TM200PZ-M TM400PZ-M
800 TM130PZ-H TM200PZ-H TM400PZ-H
1200 TM130PZ-24 TM200PZ-24 TM400PZ-24
1600 TM130PZ-2H TM200PZ-2H TM400PZ-2H
U 400 TM400UZ-M
800 TM400UZ-H
1200 TM400UZ-24
1600 TM400UZ-2H
R 400 TM20RA-M TM25RZ-M TM55RZ-M TM90RZ-M TM130RZ-M TM200RZ-M
800 TM20RA-H TM25RZ-H TM55RZ-H TM90RZ-H TM130RZ-H TM200RZ-H
1200 TM25RZ-24 TM55RZ-24 TM90RZ-24 TM130RZ-24 TM200RZ-24
1600 TM25RZ-2H TM55RZ-2H TM90-RZ-2H TM130RZ-2H TM200RZ-2H
E 400 TM25EZ-M TM55EZ-M TM90EZ-M TM130EZ-M TM200EZ-M
800 TM25EZ-H TM55EZ-H TM90EZ-H TM130EZ-H TM200EZ-H
1200 TM25EZ-24 TM55EZ-24 TM90EZ-24 TM130EZ-24 TM200EZ-24
1600 TM25EZ-2H TM55EZ-2H TM90EZ-2H TM130EZ-2H TM200EZ-2H
G 400 TM130GZ-M TM200GZ-M
800 TM130GZ-H TM200GZ-H
1200 TM130GZ-24 TM200GZ-24
1600 TM130GZ-2H TM200GZ-2H
T3 400

note1
TM10T3B-M

note1
note3
TM15T3A-M

note1
note4
TM25T3A-M
800 note1
TM10T3B-H		 note1
note3
TM15T3A-H		 note1
note4
TM25T3A-H
S 300 note1
note4
TM60SA-6		 note2
TM90SA-6		 note2
TM150SA-6
400 note1
note4
TM60SZ-M		 note2
note5
TM100SZ-M
note1: Direct current output
note3: ITsm=300
note5: IT=100A		 note2: Non-insulated type
note4: IT=60A

 

 

Diskrete Bauteile (Dioden, Thyristoren)

 Standard-Dioden (FD-series) - größtenteils abgekündigt, bzw. in Europa nicht mehr erhältlich

 
Vrrm
I F (AV)
500
600
800
1200
1600
2000
2800
3000
4000
4400
200
SR202AM-40S(R)
240
FD252AM-40
250
SR252AM-40S(R)
300
SR302AL-24S(R)
380
FD402AL-16
400
FD402AM-32
SR402AH-60
600
FD602AH-60
FD602AV-88
800

FD1000A-56

FD1000D-56

1600
FD1600CP-10
FD1600A-60
FD1600CV-80
3500
FD3500BP-12
FD3500AH-56
5000


 Dioden (FD-Serie) - größtenteils abgekündigt, bzw. in Europa nicht mehr erhältlich

I F(AV) V RRM
2500 2800 4500 6000
150
 SR202AH-50S(R)
 SR202AV-90

230

 FD252AV-90
440
 FD452AH-50
 FD500JV-90DA
610
 FD602BV-90
800
 FD1000FV-90
FD1000FX-90
1000
 FD1000FH-56
1500
 FD1500CV-90DA
FD1500AV-90
 FD1500AU-120DA
2000+
 FD2000DU-120
FD3000AU-120DA


 Standard-Thyristoren (FT-Serie)- größtenteils abgekündigt, bzw. in Europa nicht mehr erhältlich

I T(AV) V DRM(V)
400 600 1200 1400 1600 1800 2200 2500 2700 2800 4000 4500 12000
175
 CR202AM-36
250
 CR252AP-12
 CR252AM-36
300
 FT302AM-36
320