Powerex präsentiert SiC MOSFET Module der 2. Generation

 POWEREX Inc. hat 4 neue Siliziumkarbid (silicon carbide /SiC) Module zur Marktreife gebracht:  

	Typenbezeichnung	Beschreibung	Bodenplatte
	QID1210005	Si IGBT + SiC Schottky diode	copper
	QID1210006	Si IGBT + SiC Schottky diode	AlSiC
	QJD1210010	full SIC: SiC Mosfet + SiC diode	copper
	QJD1210011	full SIC: SiC Mosfet + SiC diode	AlSiC

 Alle 4 Module sind mit je zwei Transistoren und gegenläufig geschalteten Freilaufdioden aufgebaut. Dabei sind die Transistoren  intern nicht verbunden, es handelt sich folglich nicht um das typische Dual-Modul, wie wir es bspw. von den Standard-IGBTs  kennen. Dieser "independend dual type" Aufbau erlaubt also auch andere Schaltungstopologien wie Parallelschaltung, Common  Source und Common Drain. Alle Module erlauben bis zu 100A / 1200V  maximal in einem zeitgemäßen 17mm Gehäuse.

 Die QID Serie stellt "Split Dual Hybrid Module" dar, darin werden Standard-IGBTs (auf Siliziumbasis) mit einer schnellen
 SiC "Zero  Recovery®" Freilaufdiode von CREE kombiniert, was höhere Schaltfrequenzen erlaubt.
 Powerex erwähnt im Datenblatt 30 kHz für hart schaltende und bis zu 80 kHz für resonant schaltende Applikationen.
 Selbstverständlich bieten alle vorgestellten Module eine isolierte Bodenplatte für einen einfachen Systemaufbau.

 Technologisch weiterhin führend ist Powerex mit den full silicon carbide SiC MOSFET Modulen namens
 QJD1210010 und QJD1210011. Hier kombiniert Powerex Silizium-Karbid MOSFETs von Cree mit den bereits oben  vorgestellten SiC-Dioden. Diese Module aus der QJD ""full SiC"-Serie repräsentieren bereits die zweite Generation der Powerex SiC MOSFET-Familie. Die Chips dürfen mit bis zu 175°C Betriebstemperatur kalkuliert werden. Gegenüber der ersten Generation (namens QJD1210006 und QJD1210007) warten die beiden neuen Silicon Carbide MOSFETs mit einem bislang ungeschlagen niedrigen RDS(on) Wert auf, ferner höchstmöglichen Schaltfrequenzen, einer sehr niederkapazitivem Aufbau, einer vergleichsweise unkomplizierten Ansteuerung und einer hohen Leistungsdichte.

Typische Applikationen: Diese SIC IGBT und MOSFET Module spielen Ihre Stärke vor allem in Anwendungen aus, wo hohe Frequenzen von Vorteil sind.:
• Energiesparende Inverter in Motoren, Gebläsen, Pumpen, Medizintechnik
• Hochfrequenz-Invertern wie UPS (unterbrechungsfreie Stromversorgungen), Induktion, Schweißen, Robotics
• Anwendungen mit widrigen Umgebungstemperaturen wie bei Elektrofahrzeugen und Flugzeugausstattungen.

Bitte beachten Sie, dass die vorgestellten Module QID1210005, QID1210006, QJD1210010 und QJD1210011 im Moment nur Evaluation Samples darstellen. Powerex hat erst mit den nötigen Langzeit-Tests angefangen, weshalb auch nur statische elektrische Werte in den Datenblättern veröffentlicht werden. Ferner sind insbesondere die "full Silizium" SiC MOSFETs trotz kontinuierlich fallender Chip-Preise noch sehr teuer. (Per April 2012 bspw. noch etwas über 1000 Euro pro Stück. Davon kann man also noch immer 50 normale IGBTs kaufen.)


*Zero Recovery is a registered trademark of Cree, Inc.

Technische Daten, Preise und Lieferzeiten/Verfügbarkeiten auf Anfrage. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

Ineltron ist Distributor von MITSUBISHI (Leistungselektronik-Sparte), Powerex (USA / Frankreich),
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Ferner verkaufen wir Treiber-ICs und Gate-Ansteuerungen von Isahaya (Japan).

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